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SI3443DVTR
制造厂商：IR（国际整流器公司）
类别封装：单端场效应管，Micro6
技术参数：MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-TSOP
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技术参数详情：
制造商产品型号：SI3443DVTR制造厂家名称：IR（International Rectifier）已被英飞凌INFINEON收购描述：MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-TSOP系列：HEXFETFET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源极电压 (Vdss)：20V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：4.4A（Ta）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：65 毫欧 @ 4.4A，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：15nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1079pF @ 10V功率 - 最大值：2W安装类型：表面贴装产品封装：SOT-23-6供应商器件封装：Micro6（TSOP-6）现在可以订购SI3443DVTR，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
