
IR推出高性能双极晶体管为焊接应用做出优化

新器件采用沟道纤薄晶圆技术把导通损耗和开关损耗降到最低,并与软恢复低Qrr二极管一起封装。这些600V IGBT通过5猀短路额定值来提供从8KHz到30KHz的超高速开关,还具备有助于并联的低Vce(on) 和正温度系数。
IR亚太区销售副总裁潘大伟表示:“IR66xx系列把导通损耗和开关损耗降到最低,能够为希望优化焊接应用性能的设计师提供坚固可靠的解决方案。”
全新IGBT IR66xx系列还具有高开关频率、最高达175°C的工作结温和低电磁干扰的特点,有效提升可靠性和系统效率,并且提供稳固的瞬态性能。
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